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EV 應(yīng)用中的性能提升超過(guò)了 SiC 成本

來(lái)源: | 發(fā)布日期:2022-09-23

EV 應(yīng)用中的性能提升超過(guò)了 SiC 成本

電力電子解決方案繼續(xù)主要基于標(biāo)準(zhǔn)硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓?fù)湔诔霈F(xiàn)以提高效率,但新的碳化硅設(shè)計(jì)正在出現(xiàn),以滿足電動(dòng)汽車(chē)不斷增長(zhǎng)的高功率要求。

三菱電機(jī)美國(guó)公司的功率器件經(jīng)理強(qiáng)調(diào)了 SiC 與標(biāo)準(zhǔn)硅實(shí)現(xiàn)相比的前景。

他們表示,可以通過(guò)將硅與 SiC 相結(jié)合的混合技術(shù)來(lái)提高效率。例如,帶有 SiC 肖特基勢(shì)壘二極管的硅基絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 可以在成本增加相對(duì)較小的情況下提高效率。對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō),這代表了成本和性能之間的折衷。

三菱工程師斷言,在不改變拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的情況下,SiC 是顯著提高效率的極少數(shù)方法之一。

昂貴的碳化硅

SiC 仍然比硅貴得多。因此,重要的是要確定經(jīng)濟(jì)性與節(jié)能或其他一些技術(shù)優(yōu)勢(shì)保持同步以證明成本合理的應(yīng)用。三菱電機(jī)專(zhuān)注于大功率設(shè)備的 SiC,主要是因?yàn)樗鼈兪窃诟唠妷合鹿ぷ鞯拇怪苯M件?!暗壥且环N材料,我們?cè)?RF 部門(mén)擁有一些經(jīng)驗(yàn),”三菱電機(jī)功率器件產(chǎn)品經(jīng)理 Adam Falcsik 說(shuō)。“而且我們認(rèn)為它在低功耗應(yīng)用中肯定有非常有用的應(yīng)用。

“到目前為止,我們的功率器件開(kāi)發(fā)主要集中在碳化硅上,主要是因?yàn)樗m合更高功率的應(yīng)用,”他補(bǔ)充道?!耙虼耍覀?[生產(chǎn)中] 的設(shè)備模塊額定電流高達(dá) 1,200 A,額定電壓高達(dá) 3.3 kV?!?

碳化硅技術(shù)被認(rèn)為是未經(jīng)證實(shí)的,因此被傾向于保守的電力工程師認(rèn)為是有風(fēng)險(xiǎn)的。許多人寧愿等待性能可靠的證據(jù)再采取行動(dòng)——這種偏好和做法可能會(huì)減緩 SiC 的采用速度。

事實(shí)上,三菱工程師指出,客戶仍處于觀望狀態(tài)?!叭绻缙诓捎谜咴谶@項(xiàng)技術(shù)上取得成功,并帶來(lái)了預(yù)期的好處,那么采用率將會(huì)大大提高,我認(rèn)為我們正在逐步通過(guò)這一階段,”三菱電機(jī)的功率設(shè)備應(yīng)用工程師邁克·羅杰斯 (Mike Rogers) 說(shuō).

需要更改設(shè)計(jì)以充分利用 SiC,從而導(dǎo)致 PCB 大量返工。三菱工程師補(bǔ)充說(shuō),由此產(chǎn)生的設(shè)計(jì)必須能夠處理更高的工作頻率。

EV 應(yīng)用中的性能提升超過(guò)了 SiC 成本

電動(dòng)汽車(chē)、存儲(chǔ)應(yīng)用

汽車(chē)應(yīng)用將從 SiC 技術(shù)中受益匪淺,特別是對(duì)于 EV 動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)以及車(chē)載或充電站的電池充電。

三菱功率設(shè)備經(jīng)理 Tony 表示,“對(duì)于電動(dòng)汽車(chē)來(lái)說(shuō),人們強(qiáng)烈希望減小電子設(shè)備的尺寸和重量”。“碳化硅有助于通過(guò)縮小逆變器尺寸[和]提高效率,從而減少給定范圍所需的電池尺寸,”他補(bǔ)充道。

電力設(shè)施規(guī)模的儲(chǔ)能應(yīng)用是采用 SiC 的另一個(gè)潛在驅(qū)動(dòng)力。該行業(yè)正受益于向太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源的轉(zhuǎn)變,以便在沒(méi)有陽(yáng)光和風(fēng)的情況下提供電力。

在高峰需求期間提供電力需要足夠的容量來(lái)存儲(chǔ)能量,因此需要更多的轉(zhuǎn)換器和逆變器。碳化硅是那些功率轉(zhuǎn)換步驟的有希望的候選者。

隨著越來(lái)越多的替代能源上線,潮流需要特別注意,包括有源濾波和諧波校正。所有這些都需要功率半導(dǎo)體。同時(shí),寬帶隙 SiC 技術(shù)有望促進(jìn)可再生能源存儲(chǔ)。

一個(gè)原因是 SiC 的介電強(qiáng)度是 Si 的 10 倍,從而為構(gòu)建在更高電壓下運(yùn)行的設(shè)備提供了一個(gè)框架,同時(shí)滿足了遠(yuǎn)程充電基礎(chǔ)設(shè)施和智能電網(wǎng)應(yīng)用的現(xiàn)場(chǎng)要求。此外,更高的開(kāi)關(guān)頻率允許設(shè)計(jì)人員減小磁體、電感器和其他濾波器組件(包括變壓器)的物理尺寸。

三菱電機(jī)工程師指出,Si IGBT 通常具有相對(duì)較慢的開(kāi)關(guān)速度,隨著阻斷電壓的增加,開(kāi)關(guān)速度進(jìn)一步減慢。高壓范圍內(nèi)的 IGBT,例如 3.3 kV,速度非常慢,并且表現(xiàn)出高開(kāi)關(guān)損耗,將它們限制在低開(kāi)關(guān)頻率。

“碳化硅為 3.3 kV 和不久的 6.5 kV 設(shè)備提供了優(yōu)勢(shì),”三菱功率設(shè)備總工程師 Eric Motto 說(shuō)?!案匾氖牵鼈兛梢砸员裙杵骷叩念l率進(jìn)行切換?!?

“我們今天在……地鐵應(yīng)用中看到了這一點(diǎn);我們正在為該應(yīng)用量產(chǎn) 3.3kV 碳化硅器件。它們?nèi)匀皇窍喈?dāng)昂貴的設(shè)備,但它們不僅在逆變器中而且在動(dòng)力系統(tǒng)的其他組件中獲得的效率改進(jìn)使它們適用?!?

較高的開(kāi)關(guān)頻率帶來(lái)的低諧波可顯著提高電機(jī)效率,從而使 SiC 技術(shù)在高壓電源應(yīng)用中得到更廣泛的采用。三菱電機(jī)認(rèn)為,高壓直流傳輸正在推動(dòng)硅器件的極限,使碳化硅成為這些應(yīng)用更具吸引力的選擇。

三菱電機(jī)

因此,高達(dá)數(shù)萬(wàn)瓦的節(jié)能可以抵消較高的設(shè)備成本。SiC 器件,尤其是在高壓下,可提供更快、更高效的開(kāi)關(guān)??紤]到傳導(dǎo)損耗,即使在遠(yuǎn)低于其額定電流的情況下運(yùn)行,最好的 Si IGBT 也被限制在大約 1.2V 的壓降。SiC 在低電流下幾乎沒(méi)有電壓降,具體取決于使用的芯片面積。

三菱電機(jī)的發(fā)展路線圖實(shí)施優(yōu)化和新結(jié)構(gòu)以提高 SiC 性能。

“另一方面,硅 IGBT 技術(shù)沒(méi)有太多需要改進(jìn)的地方,我們已經(jīng)對(duì)該技術(shù)進(jìn)行了如此多的優(yōu)化,以至于它已經(jīng)達(dá)到了硅的物理極限,”羅杰斯說(shuō)?!叭匀挥幸恍┰隽扛倪M(jìn),特別是在優(yōu)化方面,這是可能的,但沒(méi)有什么能像我們用碳化硅實(shí)現(xiàn)的那樣引人注目?!?

三菱電機(jī)預(yù)計(jì) SiC 在一段時(shí)間內(nèi)仍將比硅貴。因此,早期應(yīng)用必須通過(guò)提高效率來(lái)證明成本合理。

Sibik 說(shuō),該戰(zhàn)略針對(duì)“受益最大的應(yīng)用,認(rèn)識(shí)到今天使用硅 IGBT 的任何應(yīng)用都可以使用碳化硅 MOSFET 來(lái)提高效率”。“在未來(lái)的某個(gè)時(shí)候,硅 IGBT 將完全過(guò)時(shí),但未來(lái)多遠(yuǎn)仍不清楚?!?

肖特基二極管也有好處。三菱電機(jī)生產(chǎn) 600 V 至 3.3 kV 的 SiC 肖特基二極管,用于需要大電流的牽引逆變器等大容量應(yīng)用。DC/DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用也需要二極管,這意味著 SiC 可以提供功率因數(shù)校正。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,目標(biāo)是提供優(yōu)化成本/性能比的下一代 SiC 器件。三菱電機(jī)引用 IGBT 的數(shù)量和競(jìng)爭(zhēng)力,承認(rèn)成本優(yōu)化對(duì)于微調(diào)晶圓工藝階段以支持不斷增長(zhǎng)的產(chǎn)量至關(guān)重要。

技術(shù)障礙之一是由 SiC 晶圓制成的基板的質(zhì)量。晶圓缺陷繼續(xù)阻礙產(chǎn)量。

這些缺陷會(huì)轉(zhuǎn)化為更高的 SiC 器件成本,最終阻礙采用。

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