晶光華可提供VCXO、TCXO等有源晶振助力5G技術(shù)。

晶光華可提供VCXO、TCXO等有源晶振助力5G技術(shù)。  時(shí)序和時(shí)鐘對(duì)于5G網(wǎng)絡(luò)的高數(shù)據(jù)速率傳輸至關(guān)重要，從而對(duì)晶振產(chǎn)生了更大的需求，晶振是5G技術(shù)的核心電子元件，它的作用是提供高端參考時(shí)鐘信號(hào)和接收傳輸信號(hào)，它們也是SONET SDH 等系統(tǒng)中最關(guān)鍵的組件之一，這些系統(tǒng)需要高穩(wěn)定性系統(tǒng)時(shí)鐘來防止時(shí)間滑動(dòng)或數(shù)據(jù)丟失。

振蕩器模塊內(nèi)石英晶體的物理特性限制了它提供的基頻。通常石英的共振頻率高達(dá)幾百兆赫茲。更高的時(shí)鐘頻率是通過系統(tǒng)中其他地方的硬件乘法器產(chǎn)生的。供應(yīng)商的任務(wù)是提供具有1.5GHz至2.5GHz范圍內(nèi)更高輸出頻率的振蕩器，主要有以下三個(gè)原因：

一、5G的高頻，尤其是在30GHz毫米頻段，而不是4G低于3GHz毫米頻段運(yùn)行時(shí)。

二、分配給每個(gè)5G信道的高帶寬可以達(dá)到400MHz，而4G則為20MHz。

三、128或256QAM的更高調(diào)制率。LTE是從64QAM演進(jìn)的，我們可以期待5G發(fā)展得更高。

基于石英的GHz（1.5GHz至2.5GHz）XO和VCXO可提供此類應(yīng)用所需的最佳近距相位噪聲性能。特殊的設(shè)計(jì)技術(shù)使得實(shí)現(xiàn)高頻、低噪聲器件成為可能，這是使用有源乘法技術(shù)難以實(shí)現(xiàn)的。

基于5G技術(shù)對(duì)于晶振的新需求，晶光華可提供以下產(chǎn)品：

1、普通晶體振蕩器（SPXO）

封裝尺寸：1.6x1.2x0.6mm，頻率范圍：4-54MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：2.0x1.6x0.75mm，頻率范圍：4-54MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：2.5x2.0x0.8mm，頻率范圍：4-125MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：3.2x2.5x0.7mm，頻率范圍：1-170MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：5.0x3.2x1.2mm，頻率范圍：1-170MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：7.0x5.0x1.3mm，頻率范圍：1-170MHz，電壓：1.8V/2.5V/2.8V/3.3V

2、壓控晶體振蕩器（VCXO）

封裝尺寸：3.2x2.5x0.7mm，頻率范圍：50-200MHz，電壓：3.3V

封裝尺寸：5.0x3.2x1.2mm，頻率范圍：50-200MHz，電壓：3.3V

封裝尺寸：7.0x5.0x1.3mm，頻率范圍：1-59MHz，電壓：3.3V

3、溫度補(bǔ)償振蕩器（TCXO）

封裝尺寸：1.6x1.2x0.55mm，頻率范圍：8-70MHz，電壓：1.8V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：2.0x1.6x0.75mm，頻率范圍：8-70MHz，電壓：1.8V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：2.5x2.0x0.8mm，頻率范圍：8-70MHz，電壓：1.8V/2.8V/3.3V

封裝尺寸：3.2x2.5x0.7mm，頻率范圍：13-52MHz，電壓：1.8V/2.8V/3.3V

4、恒溫晶體振蕩器（OCXO）

封裝尺寸：9.7x7.5mm，頻率范圍：10/19.2/20/25/30.72/38.4/40MHz，電壓：3.3V

封裝尺寸：14x9mm，頻率范圍：10/19.2/20/25/30.72/38.4/40MHz，電壓：3.3V

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