三菱電機(jī)在具有經(jīng)典封裝尺寸的碳化硅功率器件中進(jìn)行縮放

三菱電機(jī)在具有經(jīng)典封裝尺寸的碳化硅功率器件中進(jìn)行縮放。

三菱推出全新碳化硅 (SiC) 功率模塊 FMF400DY-24B，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸的全新設(shè)計(jì)。

三菱電機(jī)美國(guó)公司最近推出了一款新型碳化硅 (SiC) 功率模塊 FMF400DY-24B，其中包括一個(gè)反并聯(lián)、低 Vf、零恢復(fù)損耗的SiC SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）。該模塊采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝尺寸 (62mm x 108mm) 的新設(shè)計(jì)，適用于醫(yī)療電源和一般工業(yè)應(yīng)用。

400A、1200V雙碳化硅 MOSFET 模塊專為 Vgs(on)=15V 設(shè)計(jì)，與標(biāo)準(zhǔn) IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器兼容，并可整合到現(xiàn)有機(jī)械布局中，以便從 Si IGBT 技術(shù)輕松升級(jí)。

該模塊采用三菱電機(jī)的第二代 SiC MOSFET 芯片技術(shù)，非常適合需要高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用。與同等額定的 Si IGBT 相比，SiC 模塊可減少約 70% 的功率損耗。

“這個(gè)新模塊采用經(jīng)典封裝，內(nèi)部采用最新技術(shù)，具有卓越的功能和靈活性，”三菱電機(jī)美國(guó)功率設(shè)備集團(tuán)高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理 Adam Falcsik 說(shuō)?！癋MF400DY-24B 增加了三菱電機(jī)不斷增長(zhǎng)的 SiC 產(chǎn)品陣容。”

除了更高的效率之外，該模塊還符合電氣和電子設(shè)備中限制使用某些有害物質(zhì) (RoHS) 指令 2011/65/EU 和 (EU) 2015/863，以滿足關(guān)鍵的環(huán)境法規(guī)。該模塊通過(guò)為更智能和更可持續(xù)的社會(huì)做出貢獻(xiàn)，進(jìn)一步推進(jìn)了三菱電機(jī)的核心技術(shù)愿景。

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