臺(tái)積電向 1.4 nm工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)型的投標(biāo)有多真實(shí)？

臺(tái)積電向 1.4 nm工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)型的投標(biāo)有多真實(shí)？ 

大型晶圓廠的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星代工廠之間的工藝節(jié)點(diǎn)戰(zhàn)又掀起新的漣漪。業(yè)界傳出臺(tái)積電在 6 月將其 3 納米制程研發(fā)轉(zhuǎn)為 1.4 納米制程的消息，很可能引發(fā)臺(tái)灣領(lǐng)先的純晶圓廠與三星之間的另一輪制程節(jié)點(diǎn)對(duì)決。然而，目前尚不清楚這種雄心勃勃的向 1.4 納米工藝幾何結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換將如何實(shí)際工作。

圖 1臺(tái)積電多年來(lái)一直保持其在納米制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位

在過(guò)去的幾年里，這兩家代工廠商一直在競(jìng)相開(kāi)發(fā)亞 10 納米制造工藝。到目前為止，開(kāi)發(fā)最小節(jié)點(diǎn)的公告來(lái)自三星，該公司公布了 2025 年生產(chǎn) 2 納米工藝芯片的計(jì)劃。

這家韓國(guó)大型晶圓廠目前正忙于在其新的 3 納米工藝節(jié)點(diǎn)上批量生產(chǎn)芯片，該工藝節(jié)點(diǎn)基于下一代晶體管結(jié)構(gòu)，稱為全環(huán)柵極 (GAA)。GAA 制造技術(shù)將大量 MOS 晶體管集成在一個(gè)小得多的芯片中。三星將其稱為多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MBCFET)。

圖2三星于 2017 年進(jìn)入代工業(yè)務(wù)

       在這里，值得一提的是英特爾，它在亞 10 納米工藝節(jié)點(diǎn)的晶圓廠競(jìng)賽中遙遙領(lǐng)先。雖然英特爾目前在較小的工藝節(jié)點(diǎn)上苦苦掙扎，但它計(jì)劃通過(guò)在 2024 年下半年量產(chǎn) 1.8 納米芯片來(lái)趕上 2 納米以下工藝節(jié)點(diǎn)領(lǐng)域。

還值得注意的是，雖然臺(tái)積電和三星因其在創(chuàng)建亞 10 納米工藝節(jié)點(diǎn)方面的作用而被認(rèn)為是大型晶圓廠游戲中的主要參與者，但臺(tái)積電在實(shí)際市場(chǎng)份額方面卻居高不下。根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu) TrendForce 的數(shù)據(jù)，臺(tái)積電在 2021 年第三季度的市場(chǎng)份額達(dá)到 52.1%，遠(yuǎn)超三星所占據(jù)的 18.3%。

盡管如此，隨著半導(dǎo)體行業(yè)向更小的工藝節(jié)點(diǎn)遷移，太多的風(fēng)險(xiǎn)仍然存在，臺(tái)積電的負(fù)責(zé)人們知道這一點(diǎn)。

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