雖然有些人認為 GaN 仍然是一項相對較新的技術,但許多人無法質(zhì)疑它是如何發(fā)展到領先地位的。又名氮化鎵,GaN 是一項取代硅 LDMOS 的技術,它一直是高功率應用的首選材料。GaN是屬于III-V族的直接帶隙半導體技術。由于其更高的效率、卓越的高壓可持續(xù)性、更低的功耗、更高的溫度屬性和功率處理特性,它越來越多地用于電力電子設備。
這些特性將 GaN 推向了 5G 射頻的聚光燈下——尤其是在毫米波 5G 網(wǎng)絡方面。而且,雖然我們都“聽到”了 5G 的承諾,但今天,隨著主要無線運營商向他們的客戶推出 5G,我們中的許多人——更準確地說是大約 500 萬——開始實現(xiàn)這些承諾。但我們還沒有。差遠了。目標是到 2025 年連接 28 億用戶。實現(xiàn)這一目標意味著改造整個移動基礎設施——這是一項復雜的任務。但這是可以完成的。而在GaN技術的幫助下,5G將在不知不覺中掌握在數(shù)十億人的手中。
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【本文標簽】 為什么 GaN 是 5G 的超級“力量” 晶光華晶振 車規(guī)晶振 振蕩器
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