印度國內(nèi)電子產(chǎn)品產(chǎn)量在 2020-2021 財年達到 $74.7B

印度國內(nèi)電子產(chǎn)品產(chǎn)量在 2020-2021 財年達到 $74.7B

印度國內(nèi)電子產(chǎn)品產(chǎn)量從 2015-16 年的 24326.3 億盧比（370 億美元）大幅增長至 2020-21 年的 55446.1 億盧比（747 億美元），復合年增長率 (CAGR) 為 17.9 %，由政府采取的多項舉措和行業(yè)的努力推動。

政府的許多政策，包括旗艦生產(chǎn)關聯(lián)激勵 (PLI) 計劃、電子元件和半導體制造促進計劃、改良電子制造集群 (EMC 2.0) 計劃，都是使印度在電子制造領域成為“AtmaNirbhar”的重要步驟。

由于半導體是所有電子產(chǎn)品的主要組成部分，由于電子制造業(yè)的增長，印度的半導體市場在過去幾年也出現(xiàn)了相應的增長。根據(jù)行業(yè)估計，2020 年印度的半導體消費量約為 11 億印度盧比，由于印度沒有商業(yè)半導體工廠，因此通過進口來滿足這一需求。

政府非常關注其建立整體半導體生態(tài)系統(tǒng)的重要目標，并確保它反過來促進印度快速擴張的電子制造和創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)。聯(lián)合內(nèi)閣進一步推動了 AtmaNirbharta 在電子和半導體領域的愿景，批準了總支出為 76,000 千萬盧比的 Semicon India 計劃，用于在我國發(fā)展半導體和顯示器制造生態(tài)系統(tǒng)。該計劃旨在為投資于半導體、顯示器制造和設計生態(tài)系統(tǒng)的公司提供資金支持。這將為印度在全球電子價值鏈中日益增長的影響力鋪平道路。

在該計劃下引入了以下四個計劃：

在印度設立半導體工廠的計劃為 符合條件的設立半導體工廠的申請人提供財政支持，旨在吸引大量投資在該國設立半導體晶圓制造設施。該計劃已批準以下財政支持：

28nm 或更低——高達項目成本的 50%

28nm 以上至 45nm – 高達項目成本的 40%

45nm 以上至 65nm – 高達項目成本的 30%

在印度設立顯示器工廠的計劃為 符合條件的申請人設立顯示器工廠提供財政支持，旨在吸引大量投資在該國設立基于 TFT LCD / AMOLED 的顯示器制造設施。該計劃提供高達項目成本 50% 的財政支持，但每個 Fab 的上限為 12,000 千萬盧比。

在印度設立化合物半導體/硅光子學/傳感器工廠和半導體組裝、測試、標記和封裝 (ATMP)/OSAT 設施的計劃： 該計劃為符合條件的申請人提供資本支出的 30% 的財政支持，以設立在印度建立化合物半導體/硅光子學 (SiPh)/傳感器（包括 MEMS）Fab 和半導體 ATMP/OSAT 設施。

Design Linked Incentive (DLI) 計劃 為集成電路 (IC)、芯片組、片上系統(tǒng) (SoC)、系統(tǒng)和 IP 內(nèi)核以及半導體鏈接設計的半導體設計的各個開發(fā)和部署階段提供財務激勵、設計基礎設施支持。該計劃提供高達 50% 的合格支出的“產(chǎn)品設計相關激勵”，但每個申請的上限為 1.5 億盧比，以及五年內(nèi)凈銷售額的 6% 至 4% 的“部署相關激勵”，但有上限每個申請 3 億盧比。

除上述計劃外，政府還批準將 Mohali 半導體實驗室現(xiàn)代化改造為棕地工廠。

已根據(jù)各種計劃邀請申請建立半導體設施。到目前為止，已收到 23 份正在評估中的申請。

建立半導體部門需要巨額投資，并且需要合適的基礎設施，例如不間斷電源和清潔水的可用性。此外，半導體制造是一個非常復雜和技術密集型的行業(yè)，資本投資巨大，風險高，孕育期和投資回收期長，技術變化快，需要大量和持續(xù)的投資。但是，政府致力于全方位發(fā)展印度的半導體和顯示器制造生態(tài)系統(tǒng)。

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